GN10N65A4 دیتاشیت

GN10N65A4

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت GN10N65A4
حجم فایل 72.626 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 10

مشاهده دیتاشیت GN10N65A4

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: N Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: Wuxi China Resources Huajing Microelectronics GN10N65A4
  • Operating Temperature: +150°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd): 110W
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 21.3nC@10V
  • Drain Source Voltage (Vdss): 650V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 1.42nF@25V
  • Continuous Drain Current (Id): 10A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 4V@250uA
  • Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds): 7.4pF@25V
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 900mΩ@10V,3.5A
  • Package: TO-252
  • Manufacturer: Wuxi China Resources Huajing Microelectronics

محصولات مشابه